一種帶間級聯(lián)激光器及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011460100.4 申請日 -
公開（公告）號 CN112563885A 公開（公告）日 2021-03-26
申請公布號 CN112563885A 申請公布日 2021-03-26
分類號 H01S5/343(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 黃文祥 申請（專利權(quán)）人 睿創(chuàng)微納（無錫）技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 李曉光
地址 214001江蘇省無錫市新吳區(qū)菱湖大道200號中國傳感網(wǎng)國際創(chuàng)新園G8-403-A
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種帶間級聯(lián)激光器及其制作方法，該帶間級聯(lián)激光器通過引入折射率小于中心有源區(qū)的n+型的InAsSb作為限制層，代替部分InAs/AlSb超晶格，且其晶格常數(shù)與GaSb襯底匹配，與傳統(tǒng)的InAs/AlSb超晶格相比，n型重?fù)诫s的InAsSb層具有較高的熱導(dǎo)率，提高了紅外半導(dǎo)體的工作溫度；同時(shí)，由于n型重?fù)诫s的InAsSb層具有較低的折射率，可以將光場更多地限制在有源區(qū)內(nèi)，使光場限制因子增大，提高了激光器的光學(xué)增益，降低了紅外半導(dǎo)體激光器的閾值電流和功耗。??