一種帶間級(jí)聯(lián)激光器及其制作方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011460100.4 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112563885A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-03-26 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112563885A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-03-26 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01S5/343(2006.01)I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 黃文祥 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 睿創(chuàng)微納（無(wú)錫）技術(shù)有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 李曉光 |
| 地址 | 214001江蘇省無(wú)錫市新吳區(qū)菱湖大道200號(hào)中國(guó)傳感網(wǎng)國(guó)際創(chuàng)新園G8-403-A | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供了一種帶間級(jí)聯(lián)激光器及其制作方法，該帶間級(jí)聯(lián)激光器通過(guò)引入折射率小于中心有源區(qū)的n+型的InAsSb作為限制層，代替部分InAs/AlSb超晶格，且其晶格常數(shù)與GaSb襯底匹配，與傳統(tǒng)的InAs/AlSb超晶格相比，n型重?fù)诫s的InAsSb層具有較高的熱導(dǎo)率，提高了紅外半導(dǎo)體的工作溫度；同時(shí)，由于n型重?fù)诫s的InAsSb層具有較低的折射率，可以將光場(chǎng)更多地限制在有源區(qū)內(nèi)，使光場(chǎng)限制因子增大，提高了激光器的光學(xué)增益，降低了紅外半導(dǎo)體激光器的閾值電流和功耗。?? |
