絕緣體上硅的橫向N型絕緣柵雙極晶體管

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200910212769.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN105097903B 公開（公告）日 2020-07-03
申請(qǐng)公布號(hào) CN105097903B 申請(qǐng)公布日 2020-07-03
分類號(hào) H01L29/739;H01L29/06;H01L29/36 分類 -
發(fā)明人 李海松;王欽;劉俠;楊東林;陳文高;祝靖;劉斯揚(yáng);易揚(yáng)波 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蘇州博創(chuàng)集成電路設(shè)計(jì)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 蘇州博創(chuàng)集成電路設(shè)計(jì)有限公司
地址 215123 江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)獨(dú)墅湖林泉街399號(hào)1號(hào)樓3層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種絕緣體上硅的橫向N型絕緣柵雙極晶體管，包括：P型摻雜半導(dǎo)體襯底，在P型摻雜半導(dǎo)體襯底上面設(shè)有埋氧層，在氧化層上設(shè)有N型漂移區(qū)，在N型漂移區(qū)中設(shè)有較高濃度的N型摻雜半導(dǎo)體區(qū)，這個(gè)較高濃度的N型摻雜半導(dǎo)體區(qū)位于場氧化層右端第二鳥嘴區(qū)域的下方并包圍整個(gè)鳥嘴區(qū)域，其濃度高于N型漂移區(qū)的濃度，同時(shí)，該器件的陽極接觸區(qū)域在器件的寬度方向上是由P型摻雜區(qū)域和N型摻雜區(qū)域交替排列形成的。并且，該絕緣體上硅的橫向絕緣柵雙極晶體管的場氧化層屬于兩層臺(tái)階場氧化層，柵極延伸至場氧化層上方形成的場板也是二階場板，其能夠有效的提高器件的橫向耐壓水平。