一種用于電子級羰基硫存儲容器的界面處理工藝及應(yīng)用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111621693.2 申請日 -
公開（公告）號 CN114045492A 公開（公告）日 2022-02-15
申請公布號 CN114045492A 申請公布日 2022-02-15
分類號 C23C28/00（2006.01）I;C23C8/10（2006.01）I;C23C8/80（2006.01）I;C23C26/00（2006.01）I;F17C1/00（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 高如天;金向華;孫猛 申請（專利權(quán)）人 金宏氣體股份有限公司
代理機構(gòu) 蘇州翔遠專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 葉丙靜;陸金星
地址 215152江蘇省蘇州市相城區(qū)黃埭鎮(zhèn)潘陽工業(yè)園安民路6號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種用于電子級羰基硫存儲容器的界面處理工藝，電子級羰基硫存儲容器為鋼瓶，界面處理的對象為鋼瓶內(nèi)壁，所述鋼瓶內(nèi)壁經(jīng)界面處理后形成氧化層?羥基中間層?三甲基氯硅烷保護層的結(jié)合層。本發(fā)明采用界面處理工藝對鋼瓶內(nèi)壁進行改性處理，脫除鋼瓶內(nèi)壁吸附的水份，避免儲存過程中電子級羰基硫氣體與水反應(yīng)而影響羰基硫氣體純度。