一種鑄造單晶硅的前處理方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011146517.3 申請日 -
公開（公告）號 CN114497269A 公開（公告）日 2022-05-13
申請公布號 CN114497269A 申請公布日 2022-05-13
分類號 H01L31/18（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 許志 申請（專利權(quán)）人 福建新峰二維材料科技有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 362000福建省泉州市臺商投資區(qū)東園鎮(zhèn)東經(jīng)2路辦公路
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種鑄造單晶硅的前處理方法，其特征在于，包括以下步驟：使用砂漿線切割設(shè)備將鑄造單晶硅錠切割成鑄造單晶硅片；利用酸性溶液清洗去除鑄造單晶硅片表面的油污、金屬顆粒以及其他雜質(zhì)；在硅片表面沉積一層磷硅玻璃層，并進行退火處理；將處理后的硅片用溶劑去除表面反應(yīng)層和吸附的雜質(zhì)。