一種減少位錯缺陷及多晶占比的鑄造晶硅制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011154191.9 申請日 -
公開（公告）號 CN114481319A 公開（公告）日 2022-05-13
申請公布號 CN114481319A 申請公布日 2022-05-13
分類號 C30B29/06（2006.01）I;C30B11/14（2006.01）I;C30B28/06（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 許志 申請（專利權）人 福建新峰二維材料科技有限公司
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法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種減少位錯缺陷及多晶占比的鑄造晶硅制備方法，方法如下：直拉單晶圓棒去除邊皮后得到無圓角的單晶方棒；垂直晶硅生長方向將單晶方棒切割成大籽晶塊；所述單晶方棒或邊皮切割成小籽晶塊；將所述大、小籽晶塊鋪設在坩堝底部，形成完整的籽晶層；在籽晶層上放置原生多晶硅料、單晶邊皮及頭尾邊等循環(huán)料；將裝滿多晶硅料的坩堝放入鑄錠爐中，采用半融工藝得到鑄造單晶硅錠或多晶硅錠；將硅錠進行開方，開方后得到小方錠；將小方錠進行切片后得到鑄造單晶硅片或多晶硅片。本發(fā)明使小、大籽晶塊接縫處形成功能晶界阻止坩堝四周的多晶晶粒往內部生長，能夠顯著改善鑄造單晶硅片的位錯缺陷及多晶占比，從而改善鑄造單晶硅片質量。