一種鑄錠單晶或多晶硅異質(zhì)結(jié)太陽能電池片的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011131573.X 申請日 -
公開（公告）號 CN114388638A 公開（公告）日 2022-04-22
申請公布號 CN114388638A 申請公布日 2022-04-22
分類號 H01L31/0236（2006.01）I;H01L31/0224（2006.01）I;H01L31/074（2012.01）I;H01L31/18（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 許志 申請（專利權(quán)）人 福建新峰二維材料科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 362000福建省泉州市臺商投資區(qū)東園鎮(zhèn)東經(jīng)2路辦公路
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種鑄錠單晶或多晶硅異質(zhì)結(jié)太陽能電池片的制備方法，所述方法包括如下步驟：用濕化學(xué)溶液清洗硅片，去除表面的油污、金屬顆粒以及其他雜質(zhì)；硅片表面沉積一層N型非晶或微晶硅氧薄膜并進(jìn)行一系列退火處理；進(jìn)行表面清洗，并去除表面非晶或微晶硅氧薄膜；進(jìn)行表面制絨；進(jìn)行氫處理；進(jìn)行非晶硅或微晶層鍍膜，形成有效的PN結(jié)發(fā)射層和背電場；在硅片薄膜層的正反面分別生成透明導(dǎo)電膜層；在硅片正反面的透明導(dǎo)電膜層上形成柵線電極，完成制作流程。本發(fā)明中進(jìn)行退火處理，有利于鈍化晶界和提升少子壽命，將體硅中晶粒位錯(cuò)進(jìn)行重整，減少晶格缺陷，并進(jìn)行氫處理，利用H原子進(jìn)一步修復(fù)晶格缺陷，提高后續(xù)的鈍化水平。