一種鑄錠晶硅異質(zhì)結(jié)太陽能電池及其制作方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011132671.5 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN114388639A | 公開(公告)日 | 2022-04-22 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN114388639A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-04-22 |
分類號(hào) | H01L31/0236(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/074(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 許志 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 福建新峰二維材料科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
地址 | 362000福建省泉州市臺(tái)商投資區(qū)東園鎮(zhèn)東經(jīng)2路辦公路 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種鑄錠晶硅異質(zhì)結(jié)太陽能電池,包括:鑄錠晶硅襯底,所述鑄錠晶硅襯底含有多個(gè)生長方向不同的晶粒;設(shè)置在鑄錠晶硅襯底表面的金字塔絨面,其中,金字塔絨面底部的相鄰晶粒邊界位置具有平滑的弧形結(jié)構(gòu);設(shè)置在金字塔絨面表面的本征型非晶硅膜層和摻雜型的非晶硅膜層,其中,所述弧形結(jié)構(gòu)上的本征型非晶硅膜層和摻雜型的非晶硅膜層的厚度比金字塔絨面的斜面上本征型非晶硅膜層和摻雜型的非晶硅膜層的厚度更厚;設(shè)置在摻雜型非晶硅膜層之上的透明導(dǎo)電膜層;及設(shè)置在透明導(dǎo)電膜層之上的金屬電極。 |
