一種硅基異質(zhì)結(jié)太陽能電池制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011133338.6 申請日 -
公開（公告）號 CN114388640A 公開（公告）日 2022-04-22
申請公布號 CN114388640A 申請公布日 2022-04-22
分類號 H01L31/0236（2006.01）I;H01L31/0224（2006.01）I;H01L31/074（2012.01）I;H01L31/18（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 許志 申請（專利權(quán)）人 福建新峰二維材料科技有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 362000福建省泉州市臺商投資區(qū)東園鎮(zhèn)東經(jīng)2路辦公路
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種硅基異質(zhì)結(jié)太陽能電池制備方法，所述方法包括以下步驟：提供一種N型單晶硅片；化學(xué)拋光：處理硅片機械損傷層，去除硅片表面雜質(zhì)；在硅片表面通過擴散形成一層磷擴散層與PSG層；腐蝕清洗：去除硅片表面的PSG層；制絨清洗：在硅片表面形成金字塔絨面；在硅片其中一面形成本征非晶硅層與N型非晶硅層，另一面形成本征非晶硅層與P型非晶硅層；在硅片正背面沉積透明導(dǎo)電膜層；在硅片正背面形成金屬柵線電極。本發(fā)明在制絨清洗前對硅片進行磷擴散、高溫氧化處理，大幅改善了硅片內(nèi)部晶格缺陷，減少了硅片內(nèi)部的碳、硫以及金屬等雜質(zhì)，從而提升了硅片的體少子壽命，改善了硅片沉積非晶硅后的界面鈍化，進而提升了電池的轉(zhuǎn)換效率。