一種太陽能級硅的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200810068908.0 申請日 -
公開（公告）號 CN101357765A 公開（公告）日 2009-02-04
申請公布號 CN101357765A 申請公布日 2009-02-04
分類號 C01B33/037(2006.01) 分類 無機化學(xué);
發(fā)明人 吳展平 申請（專利權(quán)）人 陜西威斯特硅業(yè)有限公司
代理機構(gòu) 貴陽東圣專利商標(biāo)事務(wù)有限公司 代理人 貴陽高新陽光科技有限公司;陜西威斯特硅業(yè)有限公司
地址 550014貴州省貴陽市白云區(qū)白云北路硅材料基地
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明一種太陽能級純度硅的制備方法，提供一種雜質(zhì)總含量低于10ppma，B＜2ppma，P＜6ppma，電阻率＞0.3Ω.cm的硅的制備方法。以工業(yè)硅粉作為原材料，經(jīng)過簡單的化學(xué)預(yù)處理后，將硅粉和復(fù)配造渣劑混勻裝在感應(yīng)熔煉爐內(nèi)的石英坩堝內(nèi)，在微真空或常壓下，向熔煉爐內(nèi)吹入保護性氣體；感應(yīng)加熱，使?fàn)t內(nèi)溫度達(dá)1450℃－1700℃，將金屬硅熔煉成硅熔體；進行造渣除雜，本方法能有效降低硅中B的含量，使B＜2ppma，能夠滿足新工藝制造低成本太陽能電池對硅原料的一般要求。本發(fā)明生產(chǎn)工藝簡單，生產(chǎn)成本低，易于規(guī)?；a(chǎn)，且投資少，建設(shè)周期短。