一種非晶態(tài)材料制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610050104.2 申請日 -
公開（公告）號 CN106997850A 公開（公告）日 2017-08-01
申請公布號 CN106997850A 申請公布日 2017-08-01
分類號 H01L21/324(2006.01)I;H01L21/203(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/30(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 向勇;閆宗楷;徐子明 申請（專利權）人 寧波國際材料基因工程研究院有限公司
代理機構 寧波誠源專利事務所有限公司 代理人 寧波國際材料基因工程研究院有限公司
地址 315040 浙江省寧波市高新區(qū)聚賢路1299號研發(fā)園2F
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種非晶態(tài)材料制備方法，即根據(jù)非晶態(tài)材料所需的各成分材料的分布規(guī)則，周期性的依次將各成分材料沉積在基片上以制成超晶格結構樣品，然后對超晶格結構樣品進行低溫熱處理，進而制成非晶態(tài)材料。在每層成分材料沉積前，分別調節(jié)對應沉積源的工作參數(shù)、調節(jié)對應沉積源與基片之間的相對位置。各成分材料在基片上的單層沉積厚度分別對應遠小于各成分材料的擴散-結晶臨界厚度。該非晶態(tài)材料制備方法能夠實現(xiàn)不同成分材料間原子狀態(tài)下的均勻擴散，且制備過程中要求的材料沉積方法簡單、熱處理溫度要求低。相應的在較短時間內，較低溫度下即能完成非晶態(tài)材料制備，降低了非晶態(tài)材料的制備成本，提高了制備效率。