不同偏角度砷化鎵籽晶加工及砷化鎵單晶的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111179012.1 申請日 -
公開（公告）號 CN113981523A 公開（公告）日 2022-01-28
申請公布號 CN113981523A 申請公布日 2022-01-28
分類號 C30B11/14（2006.01）I;C30B29/42（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 韓家賢;王順金;韋華;趙興凱;何永彬;柳廷龍;劉漢保;黃平;陳飛鴻;李國芳 申請（專利權(quán)）人 云南鑫耀半導(dǎo)體材料有限公司
代理機構(gòu) 昆明祥和知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 和琳
地址 650000云南省昆明市高新區(qū)電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)廠房A棟1樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 不同偏度砷化鎵籽晶加工及砷化鎵單晶的制備方法，涉及半導(dǎo)體晶體生長領(lǐng)域，尤其是一種砷化鎵單晶的制備技術(shù)。本發(fā)明的方法包括了籽晶胚的加工和定向、籽晶拋光和清洗、單晶生長等步驟，其中，鉆取種子胚大小適中，種子胚比種子小嘴內(nèi)徑小0.025mm?0.76mm。拋光劑采用溴素和乙醇按體積比2：1?1：4進行配置。本發(fā)明的優(yōu)點是不同偏角度（100）到（111）偏0°、2°、6°、10°和15°的籽晶生長的砷化鎵單晶體與國家標(biāo)準(zhǔn)（GB/T 30856?2014）對位錯的要求相比，其位錯非常低、結(jié)晶度高。最主要的是晶圓拋光后進行外延，外延淀積速率高,外延層表面質(zhì)量也較好,外延層的生長參數(shù)也易于控制。