一種碳化硅晶體的高溫二次退火方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110459963.8 申請日 -
公開（公告）號 CN113174638A 公開（公告）日 2021-07-27
申請公布號 CN113174638A 申請公布日 2021-07-27
分類號 C30B29/36（2006.01）I;C30B33/02（2006.01）I;C30B23/00（2006.01）N 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 黃四江;沙智勇;尹歸;劉得偉;段金熾;普世坤;楊海平;王美春;殷云川 申請（專利權）人 云南鑫耀半導體材料有限公司
代理機構 昆明祥和知識產權代理有限公司 代理人 董昆生
地址 650000云南省昆明市高新區(qū)電子工業(yè)標準廠房A棟1樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于碳化硅單晶生長領域，具體公開一種碳化硅晶體的高溫二次退火方法，包括以下步驟：裝晶體，使用分段式加熱程序升溫，一階段升溫至1300?1500℃，二階段升溫至2000℃，然后進行保溫，保證溫度波動范圍在2000±1℃之內，降溫：采用階梯式的降溫程序，以每小時降溫200W的功率降溫10小時，再以每小時降溫400W的功率降溫10小時；用10小時把功率降到0，晶體在晶爐中經24小時充分冷卻后取出，該碳化硅高溫二次退火的工藝采用升溫、保溫、降溫的三段式，可更好的釋放應力和避免應力進一步發(fā)展，而且控溫能精確的把溫度控制在保溫所需的溫度要求；在降溫階段通過分階段冷卻保證高溫降溫慢，低溫降溫快，減少用時的同時避免應力釋放后又重新生成。