一種VGF法生長單晶的循環(huán)水溫控裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202022378186.8 申請日 -
公開（公告）號 CN213507286U 公開（公告）日 2021-06-22
申請公布號 CN213507286U 申請公布日 2021-06-22
分類號 C30B11/00（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 陳婭君;劉漢保;普世坤;柳廷龍;葉曉達;柳廷芳;黃平;呂春富;張春珊;王順金;陳維迪 申請（專利權(quán)）人 云南鑫耀半導體材料有限公司
代理機構(gòu) 昆明祥和知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 董昆生
地址 650000云南省昆明市高新區(qū)電子工業(yè)標準廠房A棟1樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及一種VGF法生長單晶的循環(huán)水溫控裝置，屬于半導體材料技術(shù)領(lǐng)域，包括單晶爐、循環(huán)水系統(tǒng)，所述循環(huán)水系統(tǒng)包括循環(huán)水箱、主管道、支路管道，循環(huán)水依次經(jīng)主管道、支路管道至單晶爐，經(jīng)過單晶爐后再依次經(jīng)支路管道、主管道流回循環(huán)水箱，所述單晶爐進水管道上設(shè)置有循環(huán)水流量調(diào)節(jié)閥和溫控裝置，單晶爐出水管道上設(shè)置有測溫裝置，本實用新型結(jié)構(gòu)可根據(jù)上輪的晶體生長結(jié)果對下一輪的溫場進行微幅度修正，該發(fā)明具有降低生產(chǎn)成本、提高單晶率、彌補溫場缺陷等作用。