碳化硅單晶生長(zhǎng)中廢料的回收處理方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110911820.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113564712A 公開（公告）日 2021-10-29
申請(qǐng)公布號(hào) CN113564712A 申請(qǐng)公布日 2021-10-29
分類號(hào) C30B29/36（2006.01）I;C30B23/00（2006.01）I;C30B33/00（2006.01）I 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 黃四江;普世坤;劉得偉;王美春;惠峰;沙智勇;殷云川;尹歸;楊海平;王東 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 云南鑫耀半導(dǎo)體材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 昆明祥和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 劉敏
地址 677000云南省臨滄市臨翔區(qū)忙畔街道忙畔社區(qū)喜鵲窩組168號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 碳化硅單晶生長(zhǎng)中廢料的回收處理方法。本發(fā)明屬于第三代半導(dǎo)體材料碳化硅單晶生長(zhǎng)及加工領(lǐng)域，具體涉及碳化硅單晶生長(zhǎng)及加工過程碳化硅廢料的回收處理方法，具體包括按順序依次焙燒脫除碳單質(zhì)、混酸處理脫除微量元素和堿氧化處理脫除硅單質(zhì)三個(gè)步驟，其中脫除碳單質(zhì)的方法為將碳化硅廢料磨成粒徑小于200微米的粉料后，裝入石英舟放入管式爐內(nèi)，管式爐加熱到400℃?600℃，焙燒2h?5h，設(shè)定氧氣瓶的通氣速率以100kPa?200kPa的壓力值注入，冷卻后取出石英舟，獲得脫除碳單質(zhì)的碳化硅廢料，本發(fā)明方法脫除了碳化硅廢料中含量較多的雜質(zhì)，經(jīng)以上步驟提純后得到高純碳化硅粉料，再把碳化硅粉料利用于碳化硅單晶的生產(chǎn)，以達(dá)到碳化硅廢料的綜合回收再利用，減少了碳化硅廢料對(duì)環(huán)境的污染。