一種VGF法生長(zhǎng)單晶的單晶爐結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202022367535.6 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN213507285U 公開(kāi)（公告）日 2021-06-22
申請(qǐng)公布號(hào) CN213507285U 申請(qǐng)公布日 2021-06-22
分類號(hào) C30B11/00（2006.01）I 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 陳婭君;劉漢保;普世坤;柳廷龍;葉曉達(dá);柳廷芳;黃平;呂春富;張春珊;王順金;陳維迪 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 云南鑫耀半導(dǎo)體材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 昆明祥和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 董昆生
地址 650000云南省昆明市高新區(qū)電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)廠房A棟1樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種VGF法生長(zhǎng)單晶的單晶爐結(jié)構(gòu)，屬于半導(dǎo)體材料技術(shù)領(lǐng)域，包括爐體外壁、保溫層,保溫層內(nèi)包括生長(zhǎng)段和爐芯段，生長(zhǎng)段橫向設(shè)置有數(shù)組熱電偶，每組的兩個(gè)熱電偶測(cè)溫點(diǎn)對(duì)稱設(shè)置于坩堝兩側(cè)，爐芯段縱向設(shè)置有數(shù)個(gè)熱電偶，爐芯段第一熱電偶其測(cè)溫點(diǎn)與籽晶段底部平行，第二熱電偶其測(cè)溫點(diǎn)為坩堝的放肩處，第三熱電偶其測(cè)溫點(diǎn)為坩堝轉(zhuǎn)肩處的中部，第三熱電偶為熱電偶族，從轉(zhuǎn)肩處中部橫向形成一個(gè)圓形截面，沿其邊緣等分設(shè)置不少于6個(gè)熱點(diǎn)偶，本發(fā)明通過(guò)晶體生長(zhǎng)熱電偶的損壞情況和成晶情況合理安裝熱電偶，使得爐膛的使用壽命增加，減少維修次數(shù)，避免了由于單一熱電偶損壞造成晶體報(bào)廢，降低了生產(chǎn)成本。