低顆粒度、低暗點(diǎn)半絕緣砷化鎵晶片的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111065459.6 申請日 -
公開（公告）號 CN113913939A 公開（公告）日 2022-01-11
申請公布號 CN113913939A 申請公布日 2022-01-11
分類號 C30B29/42（2006.01）I;C30B11/00（2006.01）I;C30B33/02（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 王順金;惠峰;韓家賢;劉漢保;柳廷龍;韋華;普世坤;趙興凱;何永彬;唐康中;呂春富;魯聞華;黃平;陳飛宏;李國芳 申請（專利權(quán)）人 云南鑫耀半導(dǎo)體材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 昆明祥和知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 和琳
地址 650000云南省昆明市高新區(qū)電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)廠房A棟1樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 低顆粒度、低暗點(diǎn)半絕緣砷化鎵晶片的制備方法，屬于半導(dǎo)體襯底材料制備技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的方法具體為將7N砷化鎵多晶和半絕緣砷化鎵晶體回料按一定比例配料，利用腐蝕液清洗多晶料及回料表面雜質(zhì)及附著物，并將砷化鎵多晶料、回料、氧化硼、砷在潔凈間內(nèi)裝入PBN坩堝，將高純碳帽套在坩堝頸部，PBN坩堝放置于石英管內(nèi)，石英管口放置石英封帽，對石英管加熱抽真空后封焊，采用VGF工藝進(jìn)行單晶生長，將所得單晶切除頭尾后切片，最后對晶片采用砷壓閉管高溫退火處理。發(fā)明在現(xiàn)有技術(shù)基礎(chǔ)上，通過對單晶生長過程中碳的摻雜調(diào)控，獲得原始暗點(diǎn)、顆粒度較低的高質(zhì)量單晶，有利于進(jìn)一步降低晶片內(nèi)的暗點(diǎn)及顆粒度值。