一種VB法與VGF法結(jié)合快速生長(zhǎng)低位錯(cuò)砷化鎵單晶的生長(zhǎng)裝置及方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111222796.1 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113957537A 公開（公告）日 2022-01-21
申請(qǐng)公布號(hào) CN113957537A 申請(qǐng)公布日 2022-01-21
分類號(hào) C30B29/42（2006.01）I;C30B13/16（2006.01）I;C30B13/28（2006.01）I 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 韓家賢;王順金;韋華;趙興凱;陳婭君;何永彬;柳廷龍;劉漢保;黃平;陳飛鴻;李國(guó)芳 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 云南鑫耀半導(dǎo)體材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 昆明祥和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 董昆生
地址 650000云南省昆明市高新區(qū)電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)廠房A棟1樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種VB法與VGF法結(jié)合快速生長(zhǎng)低位錯(cuò)砷化鎵單晶的生長(zhǎng)裝置，由爐體、石墨底座、PBN坩堝和提升裝置組成；所述爐體包括6個(gè)加熱區(qū)域和控制加熱區(qū)域溫度的6個(gè)溫控裝置，從下到上依次為第一區(qū)、第二區(qū)、第三區(qū)、第四區(qū)、第五區(qū)和第六區(qū)；石墨底座通過(guò)支撐底座設(shè)置于地面上；PBN坩堝設(shè)置于石英安瓶?jī)?nèi)，石英安瓶設(shè)置于石墨底座上；提升裝置與爐體連接，能夠拉動(dòng)爐體以一定的拉速提升；爐體與PBN坩堝之間設(shè)置有石英罩，石英罩與支撐底座連接。不但能生長(zhǎng)超低位錯(cuò)的晶體，而且放肩時(shí)間縮短20%，等徑生長(zhǎng)時(shí)間縮短50%，大大提高了生長(zhǎng)效率。