一種VGF法生長磷化銦單晶的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110802948.9 申請日 -
公開（公告）號 CN113638048A 公開（公告）日 2021-11-12
申請公布號 CN113638048A 申請公布日 2021-11-12
分類號 C30B29/40（2006.01）I;C30B11/00（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 包文瑧;柳廷龍;趙興凱;普世坤;何永彬;葉曉達(dá);祝永成;權(quán)忠朝 申請（專利權(quán)）人 云南鑫耀半導(dǎo)體材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 昆明祥和知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 劉敏
地址 650000云南省昆明市高新區(qū)電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)廠房A棟1樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于磷化銦單晶制備領(lǐng)域，具體公開一種VGF法生長磷化銦單晶的方法，包括以下步驟：采用VGF法，將原料放入坩堝內(nèi)并組裝單晶生長爐，進(jìn)行高溫退火處理；升溫熔料，在加熱控制程序中設(shè)置加熱目標(biāo)值進(jìn)行加熱和加壓；熔種生長，設(shè)置生長溫度，待籽晶熔融長度達(dá)到10?15mm，進(jìn)行轉(zhuǎn)肩生長時(shí)，坩堝位置開始下降，下降速度不大于2.5mm/h，生長結(jié)束后自動停止堝位下降；降溫退火，生長結(jié)束后自動進(jìn)入降溫退火，溫度降至350°后排空爐內(nèi)氣壓，待爐內(nèi)溫度降至約150°后打開爐門，獲取單晶，本發(fā)明增加了拉速方法，使得磷化銦單晶在生長過程中的熱場更均勻，垂直定向結(jié)晶更平穩(wěn)，生長出的磷化銦單晶更多，晶體合格率更高。