一種基于變壓器耦合的堆疊壓控振蕩器

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111039952.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113746429A 公開（公告）日 2021-12-03
申請(qǐng)公布號(hào) CN113746429A 申請(qǐng)公布日 2021-12-03
分類號(hào) H03B5/12（2006.01）I 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 孫輝;汪浩;傅海鵬 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 芯靈通（天津）科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 天津企興智財(cái)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 安孔川
地址 300000天津市濱海新區(qū)高新區(qū)華苑產(chǎn)業(yè)區(qū)海泰西路18號(hào)北2-301工業(yè)孵化-6
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種基于變壓器耦合的堆疊壓控振蕩器，包括核心振蕩電路，核心振蕩電路包括兩組對(duì)稱設(shè)置的差分對(duì)管，差分對(duì)管由具有差分對(duì)結(jié)構(gòu)的NMOS管M1、NMOS管M2組成，NMOS管M1的柵極和NMOS管M2的柵極之間連接有兩組電感L1；核心振蕩電路分別連接有選頻電路和用于將兩路差分信號(hào)轉(zhuǎn)換成單路輸出差分信號(hào)的巴倫電路；核心振蕩電路還連接有用于隔離核心振蕩電路和巴倫電路的輸出環(huán)沖電路，輸出緩沖電路包括NMOS管M3、NMOS管M4，NMOS管M3的柵極和NMOS管M4的柵極之間連接有兩組電感L2；兩組電感L1與兩組電感L2形成磁耦合變壓器。本發(fā)明有效解決了傳統(tǒng)的太赫茲基波壓控振蕩器輸出功率低、相噪性能差等問題，從而實(shí)現(xiàn)高性能太赫茲基波壓控振蕩器。