磷砷銻共摻雜的N型重?fù)街崩鑶尉Ъ捌涔柰庋悠?/p>

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510083673.2 申請日 -
公開（公告）號 CN104711675B 公開（公告）日 2017-11-10
申請公布號 CN104711675B 申請公布日 2017-11-10
分類號 C30B29/06(2006.01)I;C30B15/04(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 田達(dá)晰;馬向陽;李剛;何永增;鄭鐵波;梁興勃;陳華;王震 申請（專利權(quán)）人 浙江金瑞泓科技股份有限公司
代理機構(gòu) 杭州求是專利事務(wù)所有限公司 代理人 林松海
地址 315800 浙江省寧波市寧波保稅區(qū)0125-3地塊
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了磷砷銻共摻雜的N型重?fù)街崩鑶尉Ъ捌涔柰庋悠?。磷砷銻共摻雜的N型重?fù)街崩鑶尉?，磷作為主要摻雜元素，砷、銻中的一種或二種作為輔助摻雜元素，所述的磷的濃度大于等于4.6×1019/cm3,在摻雜元素中占比大等于60%，輔助摻雜元素在摻雜元素中的占比為0.1%?40%。本發(fā)明能消除或顯著減少硅外延片中因晶格失配引起的滑移線的N型重?fù)街崩鑶尉?，可以有效減少或消除在由高摻雜濃度的N型重?fù)街崩鑶尉Ъ庸さ膾伖馄仙L外延層時產(chǎn)生的失配位錯線缺陷；且在解決該問題的同時不會產(chǎn)生在高溫過程后半導(dǎo)體器件過渡區(qū)變寬的問題；改變了業(yè)界慣例即在硅單晶中磷砷銻中的多種不能同時作為摻雜劑。