新型LED芯片的制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201410517850.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN104362226A 公開（公告）日 2015-02-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN104362226A 申請(qǐng)公布日 2015-02-18
分類號(hào) H01L33/00(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 高俊民;許鍵;吳偉東;李愛(ài)玲;成濤;王占偉;于海蓮 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 山東成林光電技術(shù)有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 257091 山東省東營(yíng)市東城東四路與北二路交叉口向南100米路西
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種新型LED芯片的制作方法，包括MESA光刻和NP光刻，MESA光刻為對(duì)外延片表面蒸鍍ITO層后涂光刻膠再進(jìn)行MESA光刻形成具有MESA圖層的光刻膠層，然后對(duì)ITO層進(jìn)行ITO蝕刻以及對(duì)外延片表面進(jìn)行向下蝕刻；最后去除具有MESA圖層的光刻膠層；NP光刻具體為在ITO層和N-GaN層臺(tái)階上蒸鍍SiO2層后涂布光刻膠，再對(duì)光刻膠層進(jìn)行NP光刻形成具有NP圖層的光刻膠層；然后對(duì)所述SiO2層進(jìn)行蝕刻；再然后在SiO2層蝕刻掉的區(qū)域形成P電極和N電極；最后去除所述具有NP圖層的光刻膠層。本發(fā)明的方法有效降低生產(chǎn)成本，縮短生產(chǎn)周期，提高良品率。