新型LED芯片的制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410517850.9 申請日 -
公開（公告）號 CN104362226B 公開（公告）日 2017-03-15
申請公布號 CN104362226B 申請公布日 2017-03-15
分類號 H01L33/00(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 吳偉東;高俊民;成濤;王占偉;于海蓮 申請（專利權(quán)）人 山東成林光電技術(shù)有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 257091 山東省東營市東城東四路與北二路交叉口向南100米路西
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種新型LED芯片的制作方法，包括MESA光刻和NP光刻，MESA光刻為對外延片表面蒸鍍ITO層后涂光刻膠再進(jìn)行MESA光刻形成具有MESA圖層的光刻膠層，然后對ITO層進(jìn)行ITO蝕刻以及對外延片表面進(jìn)行向下蝕刻；最后去除具有MESA圖層的光刻膠層；NP光刻具體為在ITO層和N?GaN層臺階上蒸鍍SiO2層后涂布光刻膠，再對光刻膠層進(jìn)行NP光刻形成具有NP圖層的光刻膠層；然后對所述SiO2層進(jìn)行蝕刻；再然后在SiO2層蝕刻掉的區(qū)域形成P電極和N電極；最后去除所述具有NP圖層的光刻膠層。本發(fā)明的方法有效降低生產(chǎn)成本，縮短生產(chǎn)周期，提高良品率。