一種提高發(fā)光效率的LED芯片

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201420572054.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN204230284U 公開（公告）日 2015-03-25
申請(qǐng)公布號(hào) CN204230284U 申請(qǐng)公布日 2015-03-25
分類號(hào) H01L33/36(2010.01)I;H01L33/42(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 高俊民;許鍵;吳偉東;李愛玲;成濤;王占偉;于海蓮 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 山東成林光電技術(shù)有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 257091 山東省東營(yíng)市東城東四路與北二路交叉口向南100米路西
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開一種提高發(fā)光效率的LED芯片，其特征在于：包括基底，設(shè)于所述基底上的N型GaN層，設(shè)置于所述N型GaN層上的P型GaN層，所述N型GaN層上設(shè)有N電極，所述P型GaN層上設(shè)有P電極，所述P電極與所述P型GaN層之間設(shè)有ITO導(dǎo)電層，所述P電極與所述P型GaN層通過(guò)所述ITO導(dǎo)電層實(shí)現(xiàn)歐姆接觸，所述ITO導(dǎo)電層的厚度是2300A。通過(guò)在所述P電極與所述P型GaN層之間設(shè)有厚度是2300A的ITO導(dǎo)電層而歐姆接觸，可提高LED發(fā)光率的同時(shí)簡(jiǎn)化操作工藝，降低生產(chǎn)成本。