一種提高發(fā)光效率的LED芯片
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201420572054.0 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN204230284U | 公開（公告）日 | 2015-03-25 |
| 申請公布號 | CN204230284U | 申請公布日 | 2015-03-25 |
| 分類號 | H01L33/36(2010.01)I;H01L33/42(2010.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 高俊民;許鍵;吳偉東;李愛玲;成濤;王占偉;于海蓮 | 申請（專利權(quán)）人 | 山東成林光電技術(shù)有限責任公司 |
| 代理機構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 257091 山東省東營市東城東四路與北二路交叉口向南100米路西 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實用新型公開一種提高發(fā)光效率的LED芯片，其特征在于：包括基底，設(shè)于所述基底上的N型GaN層，設(shè)置于所述N型GaN層上的P型GaN層，所述N型GaN層上設(shè)有N電極，所述P型GaN層上設(shè)有P電極，所述P電極與所述P型GaN層之間設(shè)有ITO導電層，所述P電極與所述P型GaN層通過所述ITO導電層實現(xiàn)歐姆接觸，所述ITO導電層的厚度是2300A。通過在所述P電極與所述P型GaN層之間設(shè)有厚度是2300A的ITO導電層而歐姆接觸，可提高LED發(fā)光率的同時簡化操作工藝，降低生產(chǎn)成本。 |
