ITO的完整蝕刻方法及LED芯片制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410517689.5 申請日 -
公開（公告）號 CN104347772B 公開（公告）日 2017-06-20
申請公布號 CN104347772B 申請公布日 2017-06-20
分類號 H01L33/36(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 吳偉東;高俊民;成濤;王占偉;于海蓮 申請（專利權(quán)）人 山東成林光電技術(shù)有限責(zé)任公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 257091 山東省東營市東城東四路與北二路交叉口向南100米路西
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 公開了一種?ITO的完整蝕刻方法，包括步驟：對蒸鍍在形成臺階的P?GaN層和N?GaN層表面的ITO層進行第一次蝕刻，從而將沒有光刻膠覆蓋的N?GaN層正表面的ITO層去除，并同時在P?GaN層和N?GaN層之間的過渡區(qū)域蝕刻表面形成生成物；使用TMAH溶液對一次蝕刻中形成在P?GaN層和N?GaN層之間的過渡區(qū)域蝕刻表面的生成物去除；對經(jīng)過一次TMAH后的P?GaN層和N?GaN層表面的ITO層進行第二次蝕刻，從而將殘留在P?GaN層和N?GaN層之間的過渡區(qū)域蝕刻表面的ITO層去除，并在P?GaN層和N?GaN層之間的過渡區(qū)域蝕刻表面形成生成物；以及使用TMAH溶液對二次蝕刻中形成在P?GaN層和N?GaN層之間的過渡區(qū)域蝕刻表面的生成物去除。