以銅合金為材料制備納米晶薄膜電極的方法及應(yīng)用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011007722.1 申請日 -
公開（公告）號 CN112289532A 公開（公告）日 2021-01-29
申請公布號 CN112289532A 申請公布日 2021-01-29
分類號 H01C17/28;H01C1/14;H01C7/02;H01C7/04;H01C7/112 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 石開軒;邱顯發(fā);吳燕青;胡安蘋;余熙北;楊全芹;張剛;張波;曾德備 申請（專利權(quán)）人 貴州凱里經(jīng)濟開發(fā)區(qū)中昊電子有限公司
代理機構(gòu) 貴陽中新專利商標(biāo)事務(wù)所 代理人 李亮;程新敏
地址 556011 貴州省黔東南苗族侗族自治州凱里市經(jīng)濟開發(fā)區(qū)208信箱
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種一種以銅合金為材料制備納米晶薄膜電極的方法及應(yīng)用。現(xiàn)有印刷電極顆料直徑在500nm,現(xiàn)有電鍍電極顆粒直徑在5～8nm,而本發(fā)明電極顆粒直徑在1～5nm，電極致密，結(jié)合強度高。最高使用溫度由常規(guī)85℃提高到125℃。納米電極的產(chǎn)品體積在原基礎(chǔ)上降低10％?50％，但性能與原體積相當(dāng)。納米電極使熱敏電阻最大穩(wěn)態(tài)電流在原基礎(chǔ)上提高30％以上。