IGBT器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201980091300.6 申請日 -
公開（公告）號 CN113748520B 公開（公告）日 2022-05-31
申請公布號 CN113748520B 申請公布日 2022-05-31
分類號 H01L29/78（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 龔軼;王睿;劉偉;袁愿林;王鑫 申請（專利權）人 蘇州東微半導體股份有限公司
代理機構 北京品源專利代理有限公司 代理人 -
地址 215123江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號蘇州納米城西北區(qū)20幢515室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┑囊环NIGBT器件，包括位于n型漂移區(qū)（21）頂部的p型體區(qū)（22），位于所述p型體區(qū)（22）內(nèi)的第一n型發(fā)射極區(qū)（23）；位于所述p型體區(qū)（22）之上的第一柵極結構，所述第一柵極結構包括第一柵介質(zhì)層（24）以及位于所述第一柵介質(zhì)層（24）之上的第一柵極（26）和n型浮柵（25），且在橫向上，所述n型浮柵（25）位于靠近所述n型漂移區(qū)（21）的一側，所述第一柵極（26）位于靠近所述第一n型發(fā)射極區(qū)（23）的一側并延伸至所述n型浮柵（25）之上，介于所述n型浮柵（25）和所述第一柵極（26）之間的絕緣介質(zhì)層（27）；位于所述第一柵介質(zhì)層（24）中的一個開口（28），所述n型浮柵（25）通過所述開口（28）與所述p型體區(qū)（22）接觸形成p?n結二極管。