一種半導(dǎo)體存儲器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811130401.3 申請日 -
公開（公告）號 CN110957324B 公開（公告）日 2022-05-17
申請公布號 CN110957324B 申請公布日 2022-05-17
分類號 H01L27/11521（2017.01）I;H01L29/788（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉偉;袁愿林;劉磊;龔軼 申請（專利權(quán)）人 蘇州東微半導(dǎo)體股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 -
地址 215028 江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號蘇州納米城西北區(qū)20棟405-406
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于半導(dǎo)體存儲器技術(shù)領(lǐng)域，具體公開了一種半導(dǎo)體存儲器，包括：半導(dǎo)體襯底，以及位于所述半導(dǎo)體襯底中的：至少一個(gè)柵溝槽；分別位于所述柵溝槽兩側(cè)的自上而下的n型漏區(qū)、p型基區(qū)和n型源區(qū)；位于所述柵溝槽的下部的控制柵；位于所述柵溝槽的上部且位于所述控制柵之上的編程柵；位于所述柵溝槽的上部且分別位于所述編程柵兩側(cè)的兩個(gè)浮柵；所述浮柵、所述控制柵、所述編程柵和所述半導(dǎo)體襯底之間由絕緣介質(zhì)層隔離。本發(fā)明的半導(dǎo)體存儲器在實(shí)現(xiàn)長電流溝道的同時(shí)可以維持很小的芯片面積，而且，本發(fā)明的半導(dǎo)體存儲器可以采用自對準(zhǔn)工藝制造，制程簡單。