碳化硅器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011280134.5 申請日 -
公開（公告）號 CN114512531A 公開（公告）日 2022-05-17
申請公布號 CN114512531A 申請公布日 2022-05-17
分類號 H01L29/06（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/08（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 龔軼;劉磊;劉偉;王睿 申請（專利權(quán)）人 蘇州東微半導(dǎo)體股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 -
地址 215123江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號蘇州納米城西北區(qū)20棟405-406
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種碳化硅器件，包括：位于所述碳化硅襯底內(nèi)且交替間隔設(shè)置的柵極溝槽和源極溝槽；位于柵極溝槽的柵極，柵極通過第一絕緣層與第二n型碳化硅層隔離，柵極通過第二絕緣層與p型半導(dǎo)體層和第三n型半導(dǎo)體層隔離；位于源極溝槽內(nèi)的源極，源極與p型碳化硅層和第三n型碳化硅層連接，源極通過第三絕緣層與源極溝槽的側(cè)壁位置處的第二n型碳化硅層隔離；位于第二n型碳化硅層內(nèi)且位于源極溝槽底部位置處的p型阱區(qū)，p型阱區(qū)與源極在源極溝槽的底部位置相連接。本發(fā)明可以降低柵極被擊穿的風(fēng)險，并提高碳化硅器件的耐壓。