半導(dǎo)體器件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011281570.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114512532A 公開（公告）日 2022-05-17
申請(qǐng)公布號(hào) CN114512532A 申請(qǐng)公布日 2022-05-17
分類號(hào) H01L29/06（2006.01）I;H01L29/08（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 龔軼;劉偉;劉磊;袁愿林 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蘇州東微半導(dǎo)體股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 -
地址 215123江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號(hào)蘇州納米城西北區(qū)20棟405-406
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件，包括：位于柵極溝槽的下部內(nèi)的第一導(dǎo)電層，第一導(dǎo)電層通過第一絕緣層與第二n型半導(dǎo)體層隔離，位于柵極溝槽的上部內(nèi)的第二導(dǎo)電層，第二導(dǎo)電層通過第二絕緣層與p型半導(dǎo)體層、第三n型半導(dǎo)體層和第一導(dǎo)電層隔離；位于源極溝槽內(nèi)的第三導(dǎo)電層，第三導(dǎo)電層與p型半導(dǎo)體層和第三n型半導(dǎo)體層連接，第三導(dǎo)電層通過第三絕緣層與源極溝槽的側(cè)壁位置處的第二n型半導(dǎo)體層隔離；位于第二n型半導(dǎo)體層內(nèi)且位于源極溝槽底部位置處的p型阱區(qū)，p型阱區(qū)與第三導(dǎo)電層在源極溝槽的底部位置相連接。本發(fā)明可以降低柵極被擊穿的風(fēng)險(xiǎn)，并提高半導(dǎo)體器件的耐壓。