半導(dǎo)體器件的制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011280137.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114512403A 公開（公告）日 2022-05-17
申請(qǐng)公布號(hào) CN114512403A 申請(qǐng)公布日 2022-05-17
分類號(hào) H01L21/336（2006.01）I;H01L21/28（2006.01）I;H01L21/04（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/08（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 龔軼;劉偉;毛振東;徐真逸 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蘇州東微半導(dǎo)體股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 -
地址 215123江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號(hào)蘇州納米城西北區(qū)20棟405-406
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件的制造方法，首先，柵極溝槽和源極溝槽在同一步刻蝕工藝中同時(shí)形成，并且可以在源極溝槽內(nèi)自對(duì)準(zhǔn)的接觸p型半導(dǎo)體層和p型摻雜區(qū)，工藝過程簡單；其次，在柵極溝槽的下部內(nèi)形成第一絕緣層和第一柵極，在柵極溝槽的上部內(nèi)形成第二絕緣層和第二柵極，厚的第一絕緣層可以保護(hù)第二柵極不容易被擊穿，第一柵極可以增加?xùn)艠O溝槽底部附近的電場，提高半導(dǎo)體器件的耐壓；再次，源極溝槽的底部可以深入第二n型半導(dǎo)體層內(nèi)，源極溝槽下方的p型摻雜區(qū)可以增加源極溝槽底部附近的電場，把半導(dǎo)體器件內(nèi)的最高電場限定在源極溝槽的底部附近，保護(hù)柵極溝槽內(nèi)的柵極不容易被擊穿并提高半導(dǎo)體器件的耐壓。