半導(dǎo)體超結(jié)器件的制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010372375.6 申請日 -
公開（公告）號 CN113628969B 公開（公告）日 2022-06-24
申請公布號 CN113628969B 申請公布日 2022-06-24
分類號 H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉偉;劉磊;王睿;龔軼 申請（專利權(quán)）人 蘇州東微半導(dǎo)體股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 孟金喆
地址 215200 江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號蘇州納米城西北區(qū)20棟405-406
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于半導(dǎo)體超結(jié)器件技術(shù)領(lǐng)域，具體公開了一種半導(dǎo)體超結(jié)器件的制造方法，包括：先在第一溝槽的柵極區(qū)域內(nèi)形成柵極，再以覆蓋柵極側(cè)壁的絕緣側(cè)墻和硬掩膜層為掩膜刻蝕n型外延層，在n型外延層內(nèi)形成第二溝槽，然后在第一溝槽和第二溝槽內(nèi)形成p型柱。本發(fā)明的半導(dǎo)體超結(jié)器件的制造方法，形成柵極和p型柱時只需要進(jìn)行一次光刻工藝，可以極大的降低半導(dǎo)體超結(jié)器件的制造成本，并降低半導(dǎo)體超結(jié)器件的制造風(fēng)險。