一種低相位噪聲電壓控制振蕩器
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202022756207.5 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN213426144U | 公開(公告)日 | 2021-06-11 |
申請公布號 | CN213426144U | 申請公布日 | 2021-06-11 |
分類號 | H03L7/099;H03B1/04;H03B5/08 | 分類 | 基本電子電路; |
發(fā)明人 | 魏來 | 申請(專利權)人 | 燦芯半導體(蘇州)有限公司 |
代理機構 | 上海灣谷知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) | 代理人 | 倪繼祖 |
地址 | 215006 江蘇省蘇州市吳中區(qū)蘇州工業(yè)園區(qū)通園路208號蘇化科技園6號305-309室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實用新型公開了一種低相位噪聲電壓控制振蕩器,接收LPF的輸出電壓,包括:三級延遲單元、第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、電阻和電容,所述第一NMOS管和所述第二NMOS管各自的柵極分別接收LPF的輸出電壓;所述第一NMOS管和所述第二NMOS管各自的源極分別接地;所述第一NMOS管的漏極連接所述第一PMOS管的漏極;所述第二NMOS管的漏極連接所述第三PMOS管的漏極。本實用新型有效壓縮VCO的低頻閃爍噪聲。 |
