離子注入跑片方法和離子注入跑片系統(tǒng)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710183422.0 申請日 -
公開（公告）號 CN106981540B 公開（公告）日 2019-07-23
申請公布號 CN106981540B 申請公布日 2019-07-23
分類號 H01L31/18;H01L21/266;H01L21/677;H01L21/67 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 錢鋒;宋銀海;賈銀海;姚飛;埃爾詹·馬茲 申請（專利權(quán)）人 東莞帕薩電子裝備有限公司
代理機構(gòu) 深圳市智圈知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 東莞帕薩電子裝備有限公司
地址 523000 廣東省東莞市寮步鎮(zhèn)塘唇管理區(qū)金富二路
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種離子注入跑片方法，包括以下步驟：A)將多個硅片排列放入硅片托盤上。B)多個載有硅片的硅片托盤同時由多個輸送帶裝置輸送至緩沖區(qū)。C)硅片托盤上的硅片經(jīng)過離子注入設(shè)備注入其中一種離子后輸送到切換區(qū)。D)切換區(qū)內(nèi)還設(shè)有隔板孔切換裝置。E)硅片托盤反向輸送至離子注入設(shè)備的位置時，離子注入設(shè)備將另一種離子注入硅片托盤上的硅片上。F)硅片托盤上的硅片注入兩種離子后，輸送回緩沖區(qū)完成離子注入。本發(fā)明離子注入的條件只需要在硅片托盤進出的真空度一致即可實現(xiàn)；該方法采用離子擴散的方式無法實現(xiàn)；本方法采用離子注入的方式，控制單種類型的離子逐一注入硅片上，可以通過調(diào)節(jié)離子注入設(shè)備的離子注入的種類，能量和注入劑量，使離子注入的效果更佳，制作成本更低。