離子注入跑片裝置及離子注入跑片方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810398127.1 申請日 -
公開（公告）號 CN108766916A 公開（公告）日 2018-11-06
申請公布號 CN108766916A 申請公布日 2018-11-06
分類號 H01L21/677;H01L31/18 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 錢鋒;宋銀海;賈銀海;姚飛;宋經(jīng)緯;廖運華 申請（專利權(quán)）人 東莞帕薩電子裝備有限公司
代理機構(gòu) 廣州華進聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 東莞帕薩電子裝備有限公司;蘇州帕薩電子裝備有限公司
地址 523411 廣東省東莞市寮步鎮(zhèn)塘唇管理區(qū)金富二路聚慧e谷高新科技園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了離子注入跑片裝置及離子注入跑片方法。該離子注入跑片裝置包括水平進出傳送區(qū)、垂直輸送緩沖區(qū)、單個水平傳送區(qū)及垂直輸送儲存區(qū)。離子注入跑片方法包括如下步驟：將硅片置于拖盤上隔板的下方，其中一排離子注入孔正對硅片的第一位置；將托盤運送至一真空腔中，在真空腔中運送托盤至第一離子處；將第一離子通過隔板的第一排離子注入孔注入至硅片的第一位置；隔板相對所述托盤移動位置，以使第二排離子注入孔正對硅片的第二位置；將第二離子通過隔板的第二排離子注入孔注入至硅片的第二位置；將托盤移出所述真空腔。本發(fā)明所述離子注入跑片裝置，離子注入方便、快速、成本低、制作的硅片質(zhì)量好。