離子注入跑片裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201820639703.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN208157383U 公開（公告）日 2018-11-27
申請(qǐng)公布號(hào) CN208157383U 申請(qǐng)公布日 2018-11-27
分類號(hào) H01L21/677;H01L31/18 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 錢鋒;宋銀海;賈銀海;姚飛;宋經(jīng)緯;廖運(yùn)華 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 東莞帕薩電子裝備有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 東莞帕薩電子裝備有限公司
地址 523411 廣東省東莞市寮步鎮(zhèn)塘唇管理區(qū)金富二路聚慧e谷高新科技園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開了離子注入跑片裝置。該離子注入跑片裝置包括水平進(jìn)出傳送區(qū)，用于水平運(yùn)送裝載硅片的托盤；垂直輸送緩沖區(qū)，連通水平進(jìn)出傳送區(qū)，用于垂直向上或向下運(yùn)送托盤；單個(gè)水平傳送區(qū)，用于先后運(yùn)送多個(gè)托盤，單個(gè)水平傳送區(qū)依次具有第一離子注入工位、切換硅片位置工位及第二離子注入工位，第一離子注入工位用于在硅片的第一位置注入第一離子，切換硅片位置工位用于對(duì)應(yīng)硅片的第二位置，第二離子注入工位用于在硅片的第二位置注入第二離子；及垂直輸送儲(chǔ)存區(qū)，用于垂直向上或向下運(yùn)送托盤。本實(shí)用新型所述離子注入跑片裝置，離子注入方便、快速、成本低、制作的硅片質(zhì)量好。