雙噴頭MOCVD反應(yīng)室

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510324888.9 申請日 -
公開（公告）號 CN104962878A 公開（公告）日 2015-10-07
申請公布號 CN104962878A 申請公布日 2015-10-07
分類號 C23C16/44(2006.01)I;C30B25/08(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 冉軍學(xué);胡國新;李晉閩;王軍喜;段瑞飛;曾一平 申請（專利權(quán)）人 新泰中科優(yōu)唯電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京和信華成知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 新泰中科優(yōu)唯電子科技有限公司;山西中科潞安紫外光電科技有限公司
地址 271200 山東省泰安市新泰市經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)新區(qū)和圣路與泰和路交叉路口路北
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種金屬有機(jī)氣象化學(xué)沉積反應(yīng)室，所述反應(yīng)室包括：腔體，所述腔體包括頂板、底板和側(cè)壁，所述頂板底板和側(cè)壁圍成基本封閉的腔室；上進(jìn)氣噴淋頭，設(shè)置于所述反應(yīng)室腔室內(nèi)的上部與氣源連通；下進(jìn)氣噴淋頭，設(shè)置于所述反應(yīng)室腔室內(nèi)的下部與氣源連通；托盤組件，固定設(shè)置在所述反應(yīng)腔體內(nèi)的中部，所述托盤組件包括上基底托盤和下基底托盤，所述上基底托盤和下基底托盤相背對設(shè)置，所述上基底托盤與所述上進(jìn)氣噴淋頭相對；所述下基底托盤與所述下進(jìn)氣噴淋頭相對；加熱器，位于上基底托盤和下基底托盤之間。通過這種反應(yīng)室能夠有效提高空間利用率、氣體利用率及熱能的利用率。