雙噴頭MOCVD反應(yīng)室

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510324888.9 申請日 -
公開（公告）號 CN104962878B 公開（公告）日 2017-10-20
申請公布號 CN104962878B 申請公布日 2017-10-20
分類號 C23C16/44(2006.01)I;C30B25/08(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 冉軍學;胡國新;李晉閩;王軍喜;段瑞飛;曾一平 申請（專利權(quán)）人 新泰中科優(yōu)唯電子科技有限公司
代理機構(gòu) 北京和信華成知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 北京中科優(yōu)唯科技有限公司;山西中科潞安紫外光電科技有限公司
地址 100176 北京市北京經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)經(jīng)海五路58號院5號樓7層708室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種金屬有機氣象化學沉積反應(yīng)室，所述反應(yīng)室包括：腔體，所述腔體包括頂板、底板和側(cè)壁，所述頂板底板和側(cè)壁圍成基本封閉的腔室；上進氣噴淋頭，設(shè)置于所述反應(yīng)室腔室內(nèi)的上部與氣源連通；下進氣噴淋頭，設(shè)置于所述反應(yīng)室腔室內(nèi)的下部與氣源連通；托盤組件，固定設(shè)置在所述反應(yīng)腔體內(nèi)的中部，所述托盤組件包括上基底托盤和下基底托盤，所述上基底托盤和下基底托盤相背對設(shè)置，所述上基底托盤與所述上進氣噴淋頭相對；所述下基底托盤與所述下進氣噴淋頭相對；加熱器，位于上基底托盤和下基底托盤之間。通過這種反應(yīng)室能夠有效提高空間利用率、氣體利用率及熱能的利用率。