一種功率模塊倒裝芯片垂直堆疊結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202120681743.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN214336714U 公開（公告）日 2021-10-01
申請(qǐng)公布號(hào) CN214336714U 申請(qǐng)公布日 2021-10-01
分類號(hào) H01L25/18（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 朱文輝;孫國(guó)遼;汪煉成;彭程 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 長(zhǎng)沙安牧泉智能科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 長(zhǎng)沙軒榮專利代理有限公司 代理人 叢詩(shī)洋
地址 410000湖南省長(zhǎng)沙市岳麓區(qū)麓山南路932號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開了一種功率模塊倒裝芯片垂直堆疊結(jié)構(gòu)，包括IGBT芯片、二極管芯片、銅片、Spacer層、DBC基板、接線端子，所述IGBT芯片設(shè)于所述二極管芯片下方，所述IGBT芯片下端設(shè)有連接層；所述銅片上下兩端設(shè)置的第一納米銀燒結(jié)層與第二納米銀燒結(jié)層分別與所述二極管芯片的下端面、所述IGBT芯片的上端面聯(lián)結(jié)；所述Spacer層上下兩端分別設(shè)有焊料層和第三納米銀燒結(jié)層，所述Spacer層通過所述第三納米銀燒結(jié)層與所述二極管芯片上端面聯(lián)結(jié)；所述DBC基板與焊料層、連接層的外端面聯(lián)接；所述接線端子分別與所述DBC基板及銅片聯(lián)接并穿出設(shè)置的塑封。本實(shí)用新型將IGBT芯片倒裝并與二極管芯片堆疊，可進(jìn)一步縮小電源封裝模塊體積，并進(jìn)一步提高功率密度。