一種可穩(wěn)定硅源濃度的自動控制系統(tǒng)及其控制方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911248924.2 申請日 -
公開（公告）號 CN111101111A 公開（公告）日 2020-05-05
申請公布號 CN111101111A 申請公布日 2020-05-05
分類號 C23C16/24;C23C16/448;C30B25/16;C30B29/06 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 李慎重;楊德仁;馬向陽;王震;田達晰;蔣玉龍;鄧偉;張銀光;梁興勃 申請（專利權(quán)）人 金瑞泓微電子（衢州）有限公司
代理機構(gòu) 上海泰能知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 代理人 王亮
地址 324000 浙江省衢州市綠色產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)盤龍南路52號9幢
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種可穩(wěn)定硅源濃度的自動控制系統(tǒng)及其控制方法，包括氫氣輸入閥組和TCS氣源鋼瓶，TCS氣源鋼瓶與氫氣輸入閥組、TCS輸入管和TCS輸出管均相連，PLC控制器與TCS輸入管上的常閉控制閥以及TCS氣源鋼瓶內(nèi)的液位傳感器相連。外延生長過程結(jié)束后，進行自動充料，啟動PLC控制器，液位傳感器檢測液面，如果處于低液位，開啟常閉控制閥進行充料，反復(fù)充料至液位達到固定液位，液位傳感器探測到固定液位，在充料過程中完成第一片襯底硅片的取下、基座凈化和第二片襯底硅片的安裝。本發(fā)明采用新的控制系統(tǒng)及方法，充分延長充料時間，且增加充料頻率、減少充料量以獲得相對固定的液面，保證均勻的小氣泡飽和濃度壓力相對穩(wěn)定。