一種在高COP硅單晶襯底上制備200mm-300mm低缺陷外延片的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201610041286.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN105543951B 公開（公告）日 2019-01-01
申請(qǐng)公布號(hào) CN105543951B 申請(qǐng)公布日 2019-01-01
分類號(hào) C30B25/20;C30B29/06 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 梁興勃;王震;陳華;李慎重;楊盛聰;鄔幸富;田達(dá)晰 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 金瑞泓微電子（衢州）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海泰能知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 代理人 黃志達(dá)
地址 315800 浙江省寧波市保稅東區(qū)0125-3地塊
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種在高COP硅單晶襯底上制備200mm?300mm低缺陷外延片的方法，包括：(1)將高COP硅單晶襯底在純氫氣氣氛中升溫至800～850℃，保溫5～10s；(2)然后升溫至烘烤溫度，將外延爐的保護(hù)氣氛切換為氫氣、氬氣其中的一種或幾種氣氛，對(duì)上述硅單晶襯底進(jìn)行烘烤；(3)將外延爐的保護(hù)氣氛切換為純氫氣氣氛，降溫至外延生長(zhǎng)工藝溫度并保溫；通入硅源氣體，先在硅單晶襯底上生長(zhǎng)本征外延層，隨后通入硅源氣體和摻雜氣體，生長(zhǎng)摻雜外延層即得。本發(fā)明工藝簡(jiǎn)單，成本低，利用外延爐對(duì)硅單晶襯底片進(jìn)行短時(shí)間的高溫烘烤使表面COP數(shù)量減少或消除，并結(jié)合特定的外延生長(zhǎng)工藝控制技術(shù)，制備得到了低缺陷密度的硅外延片。