一種超低功耗混合型內(nèi)容可尋址存儲(chǔ)器

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201310316948.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN103400597B 公開（公告）日 2016-04-20
申請(qǐng)公布號(hào) CN103400597B 申請(qǐng)公布日 2016-04-20
分類號(hào) G11C15/00(2006.01)I 分類 信息存儲(chǔ);
發(fā)明人 藺智挺;吳秀龍;盧文娟;彭春雨;李正平;譚守標(biāo);柏娜;孟堅(jiān);陳軍寧 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 合肥海圖微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京凱特來知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 鄭立明;趙鎮(zhèn)勇
地址 230601 安徽省合肥市經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)九龍路111號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種超低功耗混合型內(nèi)容可尋址存儲(chǔ)器，其字結(jié)構(gòu)控制電路（102′）的電路結(jié)構(gòu)包括：第四PMOS晶體管（P4）、第四NMOS晶體管（N4）和第二NMOS晶體管（N2）依次串聯(lián)于正電壓輸入端和負(fù)電壓輸入端之間；與非型塊（101）中的第一匹配線（ML1）通過反相器（F）與第二NMOS晶體管（N2）電連接；或非型塊（103）中的第二匹配線（ML2）分別與第四PMOS晶體管（P4）、第四NMOS晶體管（N4）和第三NMOS晶體管（N3）電連接；字結(jié)構(gòu)匹配線（ML）由第四PMOS晶體管（P4）和第四NMOS晶體管（N4）之間引出。本發(fā)明不僅能夠避免在預(yù)充階段產(chǎn)生直流功耗、改善預(yù)充能力，而且能夠大幅削減甚至消除字結(jié)構(gòu)匹配線ML上的電平抖動(dòng)，從而保證了字結(jié)構(gòu)匹配線ML上輸出結(jié)果的準(zhǔn)確性。