一種高性能混合型內(nèi)容可尋址存儲(chǔ)器控制單元

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201310520212.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN103531232B 公開（公告）日 2016-06-29
申請(qǐng)公布號(hào) CN103531232B 申請(qǐng)公布日 2016-06-29
分類號(hào) G11C15/04(2006.01)I 分類 信息存儲(chǔ);
發(fā)明人 藺智挺;耿楊;吳秀龍;龔才;李正平;譚守標(biāo);孟堅(jiān);陳軍寧 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 合肥海圖微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京凱特來知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 安徽大學(xué);合肥海圖微電子有限公司
地址 230601 安徽省合肥市經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)九龍路111號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種高性能混合型內(nèi)容可尋址存儲(chǔ)器控制單元，該控制單元包括：反相器、PMOS管P0、NMOS管N2、NMOS管N3、NMOS管N4與NMOS管N5；其中，所述PMOS管P0的漏極與所述NMOS管N3的漏極相連，且所述PMOS管P0的柵極與所述NMOS管N2的漏極、所述NMOS管N3的柵極及所述NMOS管N4的漏極相連；所述NMOS管N2的柵極經(jīng)由反相器與所述NMOS管N4的柵極以及所述NMOS管N5的柵極相連。通過采用本發(fā)明公開的控制單元，增強(qiáng)了匹配線穩(wěn)定性和提高放電速度。