一次性可編程存儲(chǔ)單元陣列及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201110258026.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN102361030B 公開（公告）日 2013-12-04
申請(qǐng)公布號(hào) CN102361030B 申請(qǐng)公布日 2013-12-04
分類號(hào) H01L27/112(2006.01)I;H01L21/8246(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 梁擎擎;朱慧瓏;鐘匯才 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 廣創(chuàng)芯（廣州）科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京正理專利代理有限公司 代理人 長(zhǎng)沙艾爾豐華電子科技有限公司;廣創(chuàng)芯（廣州）科技有限公司
地址 410100 湖南省長(zhǎng)沙市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)三一路2號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一次性可編程存儲(chǔ)單元陣列及其制造方法。該存儲(chǔ)單元陣列，包括：形成在支撐襯底上的絕緣層；形成在所述絕緣層上的導(dǎo)電材料層的多個(gè)相互分離的條形部分；形成在所述導(dǎo)電材料層的多個(gè)相互分離的條形部分上以及所述條形部分之間的所述絕緣層的部分上的電介質(zhì)層；以及形成在所述電介質(zhì)層上的與所述導(dǎo)電材料層的多個(gè)相互分離的條形部分垂直的多晶硅或多晶硅鍺層的多個(gè)相互分離的條形部分，所述導(dǎo)電材料層的每一個(gè)所述條形部分與所述多晶硅或多晶硅鍺層的每一個(gè)所述條形部分的重疊之處形成有一個(gè)存儲(chǔ)單元。