一次可編程存儲單元及其制造方法和一次可編程存儲陣列

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201110219592.2 申請日 -
公開（公告）號 CN102324428B 公開（公告）日 2013-11-27
申請公布號 CN102324428B 申請公布日 2013-11-27
分類號 H01L27/112(2006.01)I;H01L21/8246(2006.01)I;G11C17/14(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 梁擎擎;朱慧瓏;鐘匯才 申請（專利權(quán)）人 廣創(chuàng)芯（廣州）科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京正理專利代理有限公司 代理人 長沙艾爾豐華電子科技有限公司;廣創(chuàng)芯（廣州）科技有限公司
地址 410100 湖南省長沙市長沙經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)管委會信息樓12樓（三一路2號）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一次可編程存儲單元及其制造方法和一次可編程存儲陣列。本發(fā)明通過采用自下而上依次為襯底、電介質(zhì)層、多晶硅或多晶硅鍺層的結(jié)構(gòu)，提供了低成本的一次性可編程存儲單元及其制造方法，該存儲單元包括電容器和MOS晶體管。電容器包括：由形成在半導(dǎo)體襯底中的摻雜區(qū)域或者形成在絕緣襯底上的導(dǎo)電材料層形成的第一電極、所述電介質(zhì)層和由第一多晶硅或多晶硅鍺層形成的第二電極。MOS晶體管的有源層位于與所述第一電介質(zhì)層采用相同的工藝同時形成在所述半導(dǎo)體襯底上或絕緣襯底上的第二電介質(zhì)層上，并且所述有源層由與所述第一多晶硅或多晶硅鍺層采用相同的工藝同時形成的第二多晶硅或多晶硅鍺層形成。