垂直式發(fā)光二極管的制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410618495.4 申請日 -
公開（公告）號 CN105633222B 公開（公告）日 2018-05-15
申請公布號 CN105633222B 申請公布日 2018-05-15
分類號 H01L33/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 邱鏡學;林雅雯;凃博閔;黃世晟 申請（專利權）人 蘇州醫(yī)療器械產(chǎn)業(yè)發(fā)展集團有限公司
代理機構 深圳市賽恩倍吉知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 汪飛亞
地址 215000 江蘇省蘇州市蘇州高新區(qū)科技城錦峰路8號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種垂直式發(fā)光二極管的制造方法，包括如下步驟：提供一基體，在基體的第一表面表面形成多個凸起；在所述凸起外表面形成一氮化鋁層；加熱氮化鋁層，使氮化鋁層結晶；將凸起從氮化鋁層內(nèi)脫離；在氮化鋁層外成長緩沖層；在所述基體緩沖層上依次成長N?GaN層、發(fā)光活性層和P?GaN層，從而獲得發(fā)光二極管磊晶結構；提供導電基板，將所述發(fā)光二極管磊晶結構粘結于所述導電基板上；提供分離板，將基體從上述發(fā)光二極管磊晶結構中分離；使用物理蝕刻的方式蝕刻緩沖層直至至n?GaN層并在n?GaN層上設置N電極。