一種半導體功率器件及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810150695.X 申請日 -
公開（公告）號 CN108336130B 公開（公告）日 2021-08-24
申請公布號 CN108336130B 申請公布日 2021-08-24
分類號 H01L29/06（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L23/00（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 儲團結;王海韻;叢艷欣;李亞娜 申請（專利權）人 天津中科先進技術產業(yè)有限公司
代理機構 北京天奇智新知識產權代理有限公司 代理人 龍濤
地址 300392天津市濱海新區(qū)高新區(qū)華苑產業(yè)區(qū)（環(huán)外）海泰發(fā)展六道3號星企一號創(chuàng)新工場研發(fā)中心301
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種半導體功率器件及其制作方法，涉及半導體集成電路技術領域，包括：N型襯底、N+區(qū)、P?體區(qū)、PN交替超結區(qū)、N+源區(qū)、柵極氧化層、多晶硅柵極、介質層隔離、器件源極金屬和器件漏極金屬。其中，PN交替超結區(qū)由P+層與N+層縱向間隔交替排列，且N+區(qū)中央?yún)^(qū)的同側的每相鄰兩個N+源區(qū)之間的P?體區(qū)的側面設置有第一N+層和第二N+層；以及N+區(qū)的中央?yún)^(qū)與側邊區(qū)之間設置有第三N+層。該技術方案緩解了現(xiàn)有技術存在的結構可靠性差的技術問題，保證了器件導通性能，提高了半導體功率器件的縱向變形的承受強度，增加了半導體功率器件的彎曲程度耐受能力，使其在承受機械變形時免遭破壞，提高了器件結構的可靠性，且制作工藝簡單，制作成本低。