一種半導(dǎo)體功率器件及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201810150695.X 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN108336130B 公開(kāi)（公告）日 2021-08-24
申請(qǐng)公布號(hào) CN108336130B 申請(qǐng)公布日 2021-08-24
分類號(hào) H01L29/06（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L23/00（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 儲(chǔ)團(tuán)結(jié);王海韻;叢艷欣;李亞娜 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 天津中科先進(jìn)技術(shù)產(chǎn)業(yè)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京天奇智新知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 龍濤
地址 300392天津市濱海新區(qū)高新區(qū)華苑產(chǎn)業(yè)區(qū)（環(huán)外）海泰發(fā)展六道3號(hào)星企一號(hào)創(chuàng)新工場(chǎng)研發(fā)中心301
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體功率器件及其制作方法，涉及半導(dǎo)體集成電路技術(shù)領(lǐng)域，包括：N型襯底、N+區(qū)、P?體區(qū)、PN交替超結(jié)區(qū)、N+源區(qū)、柵極氧化層、多晶硅柵極、介質(zhì)層隔離、器件源極金屬和器件漏極金屬。其中，PN交替超結(jié)區(qū)由P+層與N+層縱向間隔交替排列，且N+區(qū)中央?yún)^(qū)的同側(cè)的每相鄰兩個(gè)N+源區(qū)之間的P?體區(qū)的側(cè)面設(shè)置有第一N+層和第二N+層；以及N+區(qū)的中央?yún)^(qū)與側(cè)邊區(qū)之間設(shè)置有第三N+層。該技術(shù)方案緩解了現(xiàn)有技術(shù)存在的結(jié)構(gòu)可靠性差的技術(shù)問(wèn)題，保證了器件導(dǎo)通性能，提高了半導(dǎo)體功率器件的縱向變形的承受強(qiáng)度，增加了半導(dǎo)體功率器件的彎曲程度耐受能力，使其在承受機(jī)械變形時(shí)免遭破壞，提高了器件結(jié)構(gòu)的可靠性，且制作工藝簡(jiǎn)單，制作成本低。