一種具有超結(jié)結(jié)構(gòu)的VDMOS器件及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810162803.5 申請日 -
公開（公告）號 CN108365010B 公開（公告）日 2021-08-24
申請公布號 CN108365010B 申請公布日 2021-08-24
分類號 H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王海韻;儲團(tuán)結(jié);叢艷欣;李亞娜 申請（專利權(quán)）人 天津中科先進(jìn)技術(shù)產(chǎn)業(yè)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京天奇智新知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 龍濤
地址 300392天津市濱海新區(qū)高新區(qū)華苑產(chǎn)業(yè)區(qū)（環(huán)外）海泰發(fā)展六道3號星企一號創(chuàng)新工場研發(fā)中心301
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種具有超結(jié)結(jié)構(gòu)的VDMOS器件及其制作方法，涉及半導(dǎo)體集成電路技術(shù)領(lǐng)域，包括：N型襯底、N+區(qū)、P?體區(qū)、PN交替超結(jié)區(qū)、N+源區(qū)、柵極氧化層、多晶硅柵極、介質(zhì)層隔離、器件源極金屬和器件漏極金屬。N+區(qū)的內(nèi)表面向中央?yún)^(qū)延伸為P?體區(qū)，PN交替超結(jié)區(qū)位于N+區(qū)的中央?yún)^(qū)的兩側(cè)、N+區(qū)與P?體區(qū)之間，P?體區(qū)的上表面與PN交替超結(jié)區(qū)相連接處設(shè)有N+源區(qū)。該技術(shù)方案通過采用多層結(jié)構(gòu)的PN交替超結(jié)區(qū)，提高了VDMOS器件單位面積內(nèi)耐壓能力，將傳統(tǒng)MOS器件的漏極與源極之間間隔的外延層內(nèi)部引入高摻雜的N+區(qū)，降低了外延層的電阻率，進(jìn)而減小了VDMOS器件導(dǎo)通電阻，進(jìn)而緩解了現(xiàn)有技術(shù)存在的結(jié)構(gòu)耐壓程度差、導(dǎo)通電阻大的技術(shù)問題。