具有耐壓結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810150711.5 申請日 -
公開（公告）號 CN108376708B 公開（公告）日 2021-08-24
申請公布號 CN108376708B 申請公布日 2021-08-24
分類號 H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王振海 申請（專利權(quán)）人 天津中科先進(jìn)技術(shù)產(chǎn)業(yè)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京天奇智新知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 龍濤
地址 300392天津市濱海新區(qū)高新區(qū)華苑產(chǎn)業(yè)區(qū)（環(huán)外）海泰發(fā)展六道3號星企一號創(chuàng)新工場研發(fā)中心301
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種具有耐壓結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件及其制作方法，涉及半導(dǎo)體芯片技術(shù)領(lǐng)域，包括：N型襯底、N+區(qū)、P?體區(qū)、耐壓氧化層、多晶硅區(qū)、N+源區(qū)、柵極氧化層、多晶硅柵極、介質(zhì)層隔離、器件源極金屬和器件漏極金屬。其中，耐壓氧化層分別設(shè)置在N+區(qū)的中央?yún)^(qū)的兩側(cè)，且分別與N+區(qū)的側(cè)邊區(qū)相貼合，耐壓氧化層為凹形氧化層，多晶硅區(qū)填充在耐壓氧化層凹形區(qū)域內(nèi)。該技術(shù)方案緩解了現(xiàn)有技術(shù)存在的器件結(jié)構(gòu)耐壓性能差的技術(shù)問題，有效保證了器件的耐壓性能，提高了半導(dǎo)體器件的飽和電流，減小了器件的導(dǎo)通電阻，有效利用器件面積，降低了器件的生產(chǎn)成本，改善半導(dǎo)體器件的導(dǎo)通性能。