基于激光位移傳感器的微陣列蓋片二維檢測(cè)方法及裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910890643.0 申請(qǐng)日 -
公開(公告)號(hào) CN110514122B 公開(公告)日 2021-04-02
申請(qǐng)公布號(hào) CN110514122B 申請(qǐng)公布日 2021-04-02
分類號(hào) G01B11/02(2006.01)I;G01B11/16(2006.01)I 分類 測(cè)量;測(cè)試;
發(fā)明人 陶勇;黃勇;張冠斌;宋馳騁;李旭東;李若然 申請(qǐng)(專利權(quán))人 成都博奧晶芯生物科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 成都九鼎天元知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 管高峰
地址 611135四川省成都市溫江區(qū)永寧鎮(zhèn)八一路北段88號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種基于激光位移傳感器的微陣列蓋片二維檢測(cè)方法及裝置,所述檢測(cè)方法包括如下步驟:S1,設(shè)置激光位移傳感器垂直于微陣列蓋片的正面;S2,將激光位移傳感器沿著微陣列蓋片的各個(gè)凸面的水平方向和豎直方向移動(dòng),測(cè)得若干數(shù)據(jù);S3,利用測(cè)得的若干數(shù)據(jù)計(jì)算每個(gè)凸面在水平方向和豎直方向的平均值和變異系數(shù),基于計(jì)算得到的平均值和變異系數(shù)判斷微陣列蓋片是否彎曲變形。本發(fā)明通過采用激光位移傳感器,測(cè)量數(shù)據(jù)更加準(zhǔn)確、可靠,測(cè)量精度更高,避免了傳統(tǒng)辦法以最小距離代替整個(gè)凸面到工作臺(tái)的情況,更具實(shí)用性;并采用二維檢測(cè)方法,由此分析測(cè)量對(duì)象,使得測(cè)量結(jié)果更加具有說服力,真實(shí)反映出微陣列蓋片各個(gè)凸面是否發(fā)生彎曲變形。??