一種半導(dǎo)體硅片的減薄制造工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200710042805.2 申請日 -
公開（公告）號 CN100514568C 公開（公告）日 2009-07-15
申請公布號 CN100514568C 申請公布日 2009-07-15
分類號 H01L21/30(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王新 申請（專利權(quán)）人 華人創(chuàng)新集團(tuán)上?？萍加邢薰?/a>
代理機(jī)構(gòu) 上海京滬專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 上海華微科技有限公司;吉林華微電子股份有限公司
地址 200122上海市浦東新區(qū)東方路971號錢江大廈14樓H座
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體硅片的減薄制造工藝，先將二塊硅片正面互粘呈一體，然后用現(xiàn)有的常規(guī)減薄加工方法對互粘呈一體的硅片視作為一塊加工處理，對二個(gè)背面分別進(jìn)行金屬化處理后放置于溶膠液中，經(jīng)溶膠后自然分離，得到二塊分立的薄型硅片。由于可在二塊硅片正常切割厚度的狀態(tài)下先加工并金屬化處理正面，后在互相粘合狀態(tài)下利用常規(guī)加工方法進(jìn)行背面的減薄和金屬化處理，不僅使硅片的成品厚度可以減薄到現(xiàn)有加工方法中單塊的一半厚度，徹底改變以往不能加工出150μm以下硅片的狀況，而且二塊硅片在粘合狀態(tài)下同時(shí)進(jìn)行減薄和背面金屬化處理，有利于提高工作效率和成品率，與現(xiàn)有技術(shù)的加工方法相比，至少可提高30％，且可充分利用現(xiàn)有的技術(shù)設(shè)施和加工手段，有很強(qiáng)的可操作性和實(shí)用性。